有機金属気相成長装置システム 一式
入札情報
- 品目分類：24
- 種別：意見招請
- 調達方法 購入等
- 導入予定時期 平成24年度3月以降
- 調達に必要とされる基本的な要求要件Ａ ＭＯＣＶＤ装置（2台） 多数枚の基板上に常圧及び減圧下でＧａＮ系薄膜が形成出来ること。成長中にその場観察が可能なこと。Ｂ ドライ洗浄装置 ＭＯＣＶＤ装置で使用する反応炉内高純度石英製リアクター内部品を加熱下、塩素系ガスでエッチング出来ること。Ｃ 配管設備 ＭＯＣＶＤ装置への原料供給設備、除害設備、ドライ洗浄装置、ガス警報設備及びこれらを結ぶ配管を有すること。Ｄ 供給設備 ＭＯＣＶＤ装置用に有機金属系、水素化物系、キャリアガス及びドライ洗浄装置用に塩素系ガスを有すること。Ｅ 除害設備 ＭＯＣＶＤ装置やドライ洗浄装置から排出されるガスの除害塔、中和するための薬液及び廃液タンクを有すること。
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