シリコン深溝エッチング装置 一式の入札情報

シリコン深溝エッチング装置 一式

• 官報「2011-12-12」日発行
• 官報掲載場所「政府調達（232号）」の「62ページ」目
• 調達機関番号「415番」（国立大学法人）
• 所在地番号「4番」（宮城県）

入札情報

• 品目分類：12
• 種別：意見招請
• 調達方法 購入等
• 導入予定時期 平成24年度5月以降
• 搬送モジュールとプロセスモジュールを有し、そのプロセスモジュールを6機以上搭載することが可能なクラスター型であること。
• 200mmウェハ、300mmウェハの処理が可能なDeep ＲＩＥ装置であること。
• 各ウェハの搬送モジュールの改装は必要なく、またプロセスモジュールの改装も簡易に行えること。
• シリコン、SiN膜、酸化膜の異方性エッチングができること。
• バックグラウンド圧力が、1× 10−5Torr以下まで到達すること。
• ガスラインは最大10系統で、Ar、Ｏ2、Ｃ4Ｆ8、ＳＦ6、Ｎ2ガスラインを有すること。
• 直径1μmから3μmまでのアスペクト比 30以内のＴＳＶに対応するため、NonBosch方法によるシリコンエッチングとBosch方法によるシリコンエッチング機構を有する事。φ1μm以下、深さ40μm以上Si深堀が出来ること。
• プラズマチャンバー中心軸上とプラズマ周辺付近のプラズマ密度が独立に制御できる機構を有すること。
• シリコンの露出面積が小さいもの（5％以下）からシリコン全面（100％）をエッチバックするようなパターンまで±5％以内で均一にエッチングすることが可能であること。
• ソース内側と外側にそれぞれＩＣＰ（誘導結合型高周波プラズマ）発生用コイルを備えること。また、このコイルにそれぞれＲＦ電源を備え、印加するＲＦ電力を個別に制御できること。
• プラズマチャンバー中心上とプラズマ周辺付近のガス導入流量が独立に制御できる機構になっていること。
• エッチングステップ、パッシベーションステップを各々複数個分けることができ、各プロセスパラメータ（プロセスガス流量、プロセス圧力、ＲＦ電源出力）を独自に設定できること。
• 試料台でのウェハ保持は静電チャック方式であること。また、ウェハ冷却用裏面Heの圧力を中央部、外周部で独立に制御できること。
• ウェハ周辺部がフォトレジストで被覆されていないウェハに対してもその周辺露出部のシリコンをエッチングしない機構を有していること。
• エッチング時にシリコンとシリコン酸化膜界面にてノッチが入らないこと。
• 試料台用高周波バイアス電源は、高速パルス変調機能を有すること。
• ＯＥＳ（プラズマ発光分光）式エンドポイントディテクタを装備し、エッチング終点検知が可能なこと。
• ウエハ外周部で局所的に見られる形状の傾きを改善するためのバイアスを印加できる機能がついていること。
• エッチング材に対し、最適なプラズマ密度を得るために、プラズマソース用アンテナ位置を可動できること。
• 複合分子ポンプを装備すること。複合分子ポンプの特質は、Deep ＲＩＥ特有の大量の堆積物に対する付着抑制対策を施され、かつ、化学ガスに対する耐食用表面処理を施した磁気浮上型ターボポンプであること。

資料及びコメントの提供方法

資料等の提供期限 平成24年1月20日17時00分（郵送の場合は必着のこと。）

提供先〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学財務部資産・調達管理課調達管理第二係長樋口秀樹電話022-217-4869

説明書の交付

交付期間 平成23年12月12日から平成24年1月20日まで。

交付場所 上記2(2)に同じ。

説明会の開催

開催日時 平成23年12月19日09時30分

開催場所 東北大学未来科学技術共同研究センター1階小会議室

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