ＭＯＣＶＤ装置 一式の入札情報

ＭＯＣＶＤ装置 一式

• 官報「2012-01-16」日発行
• 官報掲載場所「政府調達（8号）」の「84ページ」目
• 調達機関番号「415番」（国立大学法人）
• 所在地番号「4番」（宮城県）

入札情報

• 品目分類：24
• 種別：意見招請
• 調達方法 購入等
• 導入予定時期 平成24年度6月以降
• ＭＯＣＶＤ装置本体ａ 本装置は、複数の20mm角ウェハ、2、3、4、5、6インチΦのウェハサイズのそれぞれに対応したSiCサセプタを用いることで成膜可能なこと。また、将来、8インチΦウェハへの成膜が、プロセスチャンバ内とロードロック室内の部品交換で対応可能な機能を有すること。ｂ 本装置は大気開放可能なロードロック室を有し、ウェハを乗せたSiCサセプタをロードロック室へセットすることで、減圧下でプロセスチャンバへ搬入が可能なこと。ｃ プロセスチャンバへのサセプタ搬入は、電気制御による搬送装置で行えること。ｄ プロセスチャンバは250℃以上にベーク可能なこと。ｅ プロセスチャンバ内におけるサセプタ加熱温度は300〜700℃を含む範囲で任意に設定可能であり、設定温度±2℃以内の精度であること。また、800℃以上加熱可能な性能を有すること。ｆ プロセスチャンバ内の圧力制御はバルブによる自動圧力コントロールとし、プロセス圧力は0.5〜8 Torr （67 〜1064Pa）を含む範囲で任意に調整可能であり、設定圧力±1Paの精度であること。ｇ プロセスガス排気能力はAr又はＮ2ガス換算で3ＳＬＭ以上のこと。ｈ プロセスチャンバ到達圧力は 0.05Torr（7Pa）以下のこと。ｉ プロセスチャンバ内へのガス導入は、チャンバフタ部のシャワーヘッドにてサセプタ全体に均一に供給されること。ｊ 原料は、液体原料又は固体原料を4種類以上取り付け可能なこと。ｋ 固体原料はヘリウムにて圧送された溶媒で溶解・液化し、微少流量液体マスフローコントローラで固体原料と溶媒のモル濃度比を正確に制御可能なこと。ｌ 液体原料はヘリウムにて圧送し、微少流量液体マスフローコントローラでモル濃度比を正確に制御可能なこと。ｍ 気化器は圧力の高いキャリアガスとそれぞれの液体原料が霧化混合し、気化器ノズル部まで霧化状態が維持されること。ｎ 液体原料を気化する気化器は、液体原料中の溶媒が気化し気化器ノズル部に堆積物が堆積するのを防ぐため、気化器流路の外部および内部を冷却可能なこと。ｏ 液体原料、固体原料、ガス供給、気化ガス供給、シャワーヘッド、排気部、およびそれらを接続する配管は、付着物防止のため、50℃以上に加熱可能なこと。ｐ プロセスガス供給は、酸素、窒素、ヘリウム、アルゴンが可能なこと。ｑ 原料供給系、気化器系、シャワーユニットは、原料交換時まで最低 1000時間以上はメンテナンスフリーのこと。ｒ 本装置の操作は、タッチパネルによる操作とすること。ｓ 成膜プロセスレシピはタッチパネルで設定でき、10レシピ以上設定可能なこと。ｔ 各種バルブ・流量操作等は、タッチパネル操作によるマニュアル操作でも可能なこと。ｕ 装置異常時は、タッチパネル上に表示とともにアラームが鳴ること。ｖ 装置に物理的に押下できる非常停止ボタンを設置すること。
• 真空ポンプａ プロセスチャンバの真空ポンプはドライポンプとし、Ｎ2換算で排気量10000Ｌ/min以上であること。ｂ ロードロックチャンバの真空ポンプはドライポンプとし、Ｎ2換算で排気量1000Ｌ/min以上のこと。
• 除害システムａ ＰＺＴ成膜に使用する原料Pb（ＤＭＡＭＰ）2、Zr（ＭＭＰ)4、Ti（ＭＭＰ）4を吸着式にて除害可能なこと。また、異種材料を成膜時には、別途吸着材の交換で対応可能な機能を有すること。ｂ 除害装置の異常は、Ａ．ＭＯＣＶＤ装置本体側タッチパネルに表示するとともに、アラームが鳴ること。

資料及びコメントの提供方法

資料等の提供期限 平成24年2月16日17時00分（郵送の場合は必着のこと。）

提供先〒980-8577 仙台市青葉区片平2-1-1 東北大学財務部資産・調達管理課調達管理第二係長 樋口 秀樹電話022-217-4869

説明書の交付

交付期間 平成24年1月16日から平成24年2月16日まで。

交付場所 上記2(2)に同じ。

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