意見招請：ナノテクノロジー向けハイパフォーマンスＥＢリソグラフィシステム一式

ナノテクノロジー向けハイパフォーマンスＥＢリソグラフィシステム一式

品目分類：24
種別：意見招請
調達方法購入等
導入予定時期平成25年度10月以降
最大100kVの電圧で加速された電子ビームを試料上3nm未満に集光できること。この時，電子ビームの電流値は100pA以上で，電流値揺らぎは0.1％以下であること。
電子ビーム偏向により2mm×2mmの大面積描画を行うことができること。また，フィールド端まで中心部分と変わらない精度で描画が行えること。
試料ステージはレーザ測長器により1nm以下の精密な位置決めが可能であり、高さセンサによる試料高さ自動補正機能を持つこと。
ビーム偏向フィールドと試料ステージ移動により150mm×150mm以上の描画領域を持ち、フィールドつなぎ精度が±9nm以内であること。
ビームの偏向歪み、偏向湾曲，偏向非点補正機能を有し、また、ビーム偏向と試料ステージとの間の振幅、回転の補正機能を有すること。
10個以上の試料ホルダーを予備室から自動搬送できること。
ＣＡＤデータ生成・変換プログラムを備え、コンピュータ制御によりパターン自動描画ができること。
アラインメントマーク検出による位置決め・歪み補正機能を有し、複数の描画を±9nm以内の精度で重ね合わせることができること。

資料及びコメントの提供方法: 資料等の提供期限平成25年6月3日17時00分（郵送の場合は必着のこと。）; 提供先〒464-8601 名古屋市千種区不老町名古屋大学本部2号館2階財務部契約課小川晃史電話052-789-5527
説明書の交付: 交付期間平成25年5月1日から平成25年6月3日まで。; 交付場所上記2(2)に同じ。
説明会の開催: 開催日時平成25年5月9日14時00分; 開催場所名古屋大学 IB電子情報館北棟5階電気系会議室

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